| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 空間分辨率 | 橫向 XY：MIN 200nm（隨探測距離變化）；深度 Z：MIN 1μm | 成像視場 | 單次MAX 4mm×4mm，支持多圖拼接擴(kuò)展 |
| 磁場探測性能 | DC 噪聲基底 150nT；DC 靈敏度 10 μT/√Hz；AC 路線圖 10nT 噪聲、1nT/√Hz 靈敏度 | 頻率范圍 | DC～4GHz AC |
| 標(biāo)準(zhǔn)測量時(shí)長 | 5–10 分鐘 | 機(jī)械載臺 | XYZ 行程 300×300×20mm |
| 整機(jī)物理參數(shù) | 尺寸 0.7m×0.7m×1.7m，重量≈350kg，風(fēng)冷散熱，峰值功耗 2kW | 使用環(huán)境 | 室溫常壓，溫度 15–40℃，配套減震光學(xué)平臺 |
昊量光電/星朗浩宇超分辨率量子顯微鏡
不需要真空、不需要低溫，常溫常壓工作；磁場可穿透硅基板、塑封、金屬薄層，實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部埋藏線路無損檢測
昊量光電推出Quantum Diamonds GmbH商用化 NV 金剛石量子磁場成像設(shè)備廠商，聚焦半導(dǎo)體封裝失效分析的昊量光電/星朗浩宇超分辨率量子顯微鏡。利用金剛石內(nèi)部氮 - 空位色心（NV Center）固態(tài)量子自旋作為納米磁場傳感器，實(shí)現(xiàn)寬視場、非破壞、穿透式電流 / 磁場成像。依托金剛石氮 - 空位（NV）量子色心磁場探測，主打異構(gòu)集成、3D 封裝芯片無損失效分析
該產(chǎn)品核心的工作原理：MCI 磁電流成像 + NV 量子金剛石傳感
底層量子傳感基礎(chǔ)：設(shè)備核心傳感器為人工合成金剛石內(nèi)部的氮 - 空位（NV）原子缺陷，NV 色心具備室溫穩(wěn)定量子自旋特性，對微弱磁場高度敏感，依靠光學(xué)檢測磁共振（ODMR） 將芯片電流產(chǎn)生的磁場轉(zhuǎn)化為光學(xué)熒光信號，實(shí)現(xiàn)磁場定量成像。
MCI 多層磁電流成像流程：
1.全域磁場采集：一次性捕獲多層堆疊芯片同時(shí)通電產(chǎn)生的疊加總磁場圖譜；
2.分層磁場剝離：搭載自研機(jī)器學(xué)習(xí)算法，從混合總磁場中分離出每一層金屬布線對應(yīng)的獨(dú)立磁場分布；
3.電流密度重建：反演計(jì)算每層布線真實(shí)電流分布，輸出彩色云圖電流成像，直觀定位短路、開路、漏電缺陷。
該產(chǎn)品核心的技術(shù)優(yōu)勢：
磁場無遮擋穿透：磁場可無損穿透 cmos 硅、金屬、封裝樹脂等所有半導(dǎo)體材料，無需研磨、切片、逐層剝層；
純室溫常壓工作：無需低溫制冷、真空腔體，常規(guī)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境即可穩(wěn)定運(yùn)行；
電性缺陷可視化：X 射線 CT 僅能看物理結(jié)構(gòu)、熱成像 LIT 僅捕捉發(fā)熱點(diǎn)，本設(shè)備直接成像電流路徑，可檢出無發(fā)熱的隱性開路、微短路、高阻漏電。
產(chǎn)品核心功能與特點(diǎn)：
多層堆疊芯片 3D 失效精密定位
極低樣品制備門檻
AI 驅(qū)動一體化分析軟件
寬頻、高靈敏度磁場探測
高穩(wěn)定工業(yè)級整機(jī)設(shè)計(jì)
行業(yè)應(yīng)用場景：
2.5D/3D 封裝、芯粒（Chiplet）失效分析：針對 HBM、CoWoS、中介層、混合鍵合堆疊芯片，解決垂直互連、層間短路、通孔開路等傳統(tǒng)設(shè)備無法分層定位的缺陷；客戶實(shí)測可將原本數(shù)周的故障排查縮短至十幾分鐘，中國臺灣頭部晶圓廠評價(jià)其可實(shí)現(xiàn)完整堆疊結(jié)構(gòu)無損高精度缺陷檢測。
背面供電（Backside Power Delivery）芯片檢測：雙面金屬化芯片上下層布線互相遮擋，熱成像、光學(xué)檢測無法穿透背面金屬層；本設(shè)備依靠磁場穿透特性，無損檢測雙面供電網(wǎng)絡(luò)完整性，定位背面金屬布線漏電、斷路。
寬禁帶功率半導(dǎo)體（GaN、SiC）：新能源、快充、車載功率器件普遍采用硅 + 寬禁帶堆疊結(jié)構(gòu)，高頻大功率工況下易產(chǎn)生新型層間失效；QD m.0 可精密映射功率回路電流分布，定位功率器件微短路、導(dǎo)通異常。
新材料科學(xué)表征：用于二維材料、固態(tài)電解質(zhì)等新型材料電學(xué)特性表征，通過磁場反演電流密度分布，微米級成像材料內(nèi)部導(dǎo)電缺陷，支撐新材料研發(fā)。
超分辨率量子顯微的參數(shù)：
| 空間分辨率 | 橫向 XY：MIN 200nm（隨探測距離變化）；深度 Z：MIN 1μm |
| 成像視場 | 單次MAX 4mm×4mm，支持多圖拼接擴(kuò)展 |
| 磁場探測性能 | DC 噪聲基底 150nT；DC 靈敏度 10 µT/√Hz；AC 路線圖 10nT 噪聲、1nT/√Hz 靈敏度 |
| 頻率范圍 | DC～4GHz AC |
| 標(biāo)準(zhǔn)測量時(shí)長 | 5–10 分鐘 |
| 機(jī)械載臺 | XYZ 行程 300×300×20mm |
| 整機(jī)物理參數(shù) | 尺寸 0.7m×0.7m×1.7m，重量≈350kg，風(fēng)冷散熱，峰值功耗 2kW |
| 使用環(huán)境 | 室溫常壓，溫度 15–40℃，配套減震光學(xué)平臺 |
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