近紫外/可見光波長鈮酸鋰（摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR

目前多數(shù)商用和文獻報道的器件仍集中在通信波段（如1550 nm）。在近紫外到可見光波段，實現(xiàn)兼具高帶寬和高功率承受能力的相位調(diào)制器，一直是技術(shù)難點。這主要是因為短波長光子能量更高，對材料的損傷更敏感，且波導設(shè)計與制造工藝面臨更大挑戰(zhàn)。

Covesion/AdvR推出的基于MgO:LN波導的相位調(diào)制器在緊湊和低損耗的光纖耦合配置下提供低Vpi的高速運行。該器件中使用的極化波導提供了比其他寬帶光纖耦合器件更高的功率處理改進的PER(偏振消光比）。該相位調(diào)制器可用于客戶定義的波長范圍從大約370 nm到850nm。                                                                                                                                 

• 寬波段覆蓋：專門針對近紫外到可見光波段進行了波導與材料優(yōu)化，能在此波段內(nèi)實現(xiàn)低損耗、高效率的相位調(diào)制。

• 高帶寬性能：借助精密的波導結(jié)構(gòu)和電極設(shè)計，器件支持高速信號調(diào)制，滿足從精密測量到量子光學實驗的嚴苛要求。

• 高功率耐受：利用高摻雜MgO:LN材料優(yōu)異的抗光折變特性，器件可在高功率光輸入下長期穩(wěn)定工作，無需擔心性能劣化。

近紫外/可見光波長鈮酸鋰（摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR主要的特點

寬波段：                                                                  370nm-850nm范圍內(nèi)可選

低半波電壓:                                                            Vpi@1Ghz：3V@532nm,5V@780nm

高功率閾值：                                                          780nm@50mw

低插損：                                                                  ≤4dB

高帶寬：                                                                  10Ghz/20Ghz

近紫外/可見光波長鈮酸鋰 （摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR主要的應(yīng)用

量子光學

冷原子/分子/離子

激光頻率鎖定

近紫外/可見光波長鈮酸鋰 （摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR的規(guī)格清單：

備注：自定義波長范圍約370納米至850納米

              帶寬可選20ghz